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除了刻蚀设备领域,其他国产半导体设备商,也取得了一定的阶段性成果。
比如,沉积设备领域。
拓荆的PECVD设备,已进入中芯国际,进行14nm验证,预计1819年实现量产。
北方华创推出的14nmPECVD和ALD设备,预计将于18年,在14nmFinFET实现批量应用。
光刻设备领域。
魔都微电子,已实现90nm光刻机量产。
整体而言,仍与ASML有着8~10年的差距。
嗯。。
慢慢追好了~
至于量测设备、化学机械抛光、材料等多个领域,暂时还没有什么突破性进展,但也都在有序推进。
对此,洛川也没怎么失望就是了。
事实上,极
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